LED显示屏寿命以光衰变为判断标准，这篇文章之后可以清楚了！

LED的长期运行会因光崩溃而导致老化，特别是对于大功率led而言，光崩溃问题更为严重。测量LED寿命时，仅在LED寿命到期时使用灯泡损坏是不够的，LED寿命必须由LED的光衰减百分比指定，例如5%或10%。

光学故障33760当感光鼓表面带电时，电势随着电荷在鼓表面上累积而增加，最终达到最高电势“饱和”电势。表面电位随时间降低，正常运行时的电位低于该电位。当鼓被扫描并曝光时，暗区（未被光照射的光电导体表面）中的电势仍处于暗衰减过程中。亮区（指照明部分中的光电导体的表面）在光电导体层中的载流子密度急剧增加。电导率迅速上升，形成光电导电压，电荷迅速消失，光电导体的表面电位急剧下降。称之为“光的崩溃”，最后放慢速度。

矿物引起的衰变效应：也称为S-W效应。当强光长时间照射在a-Si:H膜上或当电流流动时，膜内会出现缺陷，这会降低膜的有用性能，这就是所谓的Steabler-Wronski效应。关于S-W效应的原因仍然存在很多争议，这种现象的微观机制仍不确定，国内外都在用非晶硅材料进行研究。通常，SW效应由照明引起，导致带隙中出现新的悬空键缺陷状态（深能级），这会影响a-Si:H薄膜材料中费米能级EF的位置。因此，电子的分布会发生变化，从而引起光学性质的变化并影响电子复合过程。这些缺陷态充当电子和空穴的额外复合中心，从而增加电子俘获截面面积并缩短其寿命。

在a-Si:H薄膜材料中，类似于晶体硅的Si-H键和Si-Si键可以稳定存在，并且这些键具有较大的键能，不容易断裂。由于a-Si:H材料的结构扰动，一些Si-Si键的键长和键角发生变化，导致Si-Si的键变形。高度应变的Si-Si键具有与H相当的化学势，并且可以被外部能量阻挡。如果断裂应变的Si-Si键没有重构，a-Si:H膜的悬浮键密度增加。为了更好地理解SW效应的机理，找到稳定的加工方法和工艺来控制a-Si:H薄膜的悬空键，国内外科学家20多年来一直在不懈努力。物理模型主要包括弱键断裂（SJT）模型、“H-glass”模型、H-碰撞模型、Si-H-Si桥键形成模型、“缺陷池”模型等，但还没有统一的观点。